Description
- Type : module de puissance IGBT half-bridge (2 en 1)
- Technologie : Trench Field-Stop IGBT + diode de roue libre rapide (FWD)
- Tension collecteur-émetteur max (Vces) : 1200 V
- Courant collecteur continu (Ic) : 200 A
- Tension grille-émetteur (Vge) : ±20 V max
- Tension de saturation Vce(sat) : ≈ 1.85 V à 200 A
- Température de jonction max (Tj) : 175°C
Caractéristiques techniques :
- Faibles pertes de conduction et de commutation
- Diode intégrée à récupération douce → réduction EMI
- Coefficient thermique positif → bon partage du courant en parallèle
- Intégration d’une NTC pour mesure de température
- Boîtier avec base cuivre isolée (bonne dissipation thermique)
Applications :
- Variateurs de vitesse / moteurs industriels
- Onduleurs solaires
- UPS (alimentation sans interruption)
- Soudage à haute fréquence
