MODULE IGBT « FS150R12KT4-B11 » 1200V/150A

Description

Fabricant : Infineon
Catégorie de produits : Modules IGBT
Configuration : Pack de 6
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,75 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 150 A
Courant de fuite grille-émetteur : 100 nA
Puissance dissipée Pd : 750 W
Boîtier : Econo 3
Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Hauteur : 17 mm
Longueur : 122 mm
Tension grille-émetteur maximale : 20 V
Série : Trenchstop IGBT4 – T4