Description
Fabricant : Infineon
Catégorie de produits : Modules IGBT
Configuration : Onduleur triphasé
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,85 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 150 A
Courant de fuite grille-émetteur : 100 nA
Emballage/Boîtier : Econo 3
Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Tension grille-émetteur maximale : 20 V
Série : Trenchstop IGBT4 – T4
Poids unitaire : 300 g
