MODULE IGBT « FP15R12KE3 » 1200V/27A

د.ت 280,000

Description

Fabricant : Infineon
Catégorie de produits : Modules IGBT
Configuration : Onduleur triphasé
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,7 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 27 A
Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA
Dissipation de puissance Pd : 89 W
Emballage/Boîtier : EASY2
Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
Température maximale de fonctionnement : + 125 °C
Hauteur : 17 mm
Longueur : 55,9 mm
Largeur : 45,6 mm
Tension maximale grille-émetteur : 20 V
Type de montage : Montage à vis
Poids : 180 g