Description
Fabricant : Infineon
Catégorie de produits : Modules IGBT
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,45 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 15 A
Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA
Dissipation de puissance Pd : 20 mW
Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
Température maximale de fonctionnement : + 125 °C
Tension grille-émetteur maximale : 20 V
