Description
Type : Demi-pont IGBT avec diodes intégrées
I_cont (TC ≈ 100°C) : ~75A
V_CE_max : 1200 V
I_pic 1 ms : jusqu’à ~200A
Valeurs de commutation (E_on/E_off) : ~9–10mJ
Tolérance court-circuit : ~370A / 8–10µs (800V)
Type : Demi-pont IGBT avec diodes intégrées
I_cont (TC ≈ 100°C) : ~75A
V_CE_max : 1200 V
I_pic 1 ms : jusqu’à ~200A
Valeurs de commutation (E_on/E_off) : ~9–10mJ
Tolérance court-circuit : ~370A / 8–10µs (800V)