Description
Module IGBT CM150DU‑24F (IGBTMOD™ série F, configuration demi‑pont 2 IGBT + diodes rapides)
Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 1200V
Courant collecteur continu (IC) : 150A à 25°C
Puissance dissipable (Pdiss) : 600W
Tension de saturation typique VCE(on) : 1.8V à 25°C, max ≈2.4V à VGE=15V, IC=150A
Courant de fuite collecteur : ≤1mA
Temps de montée typique (tr) : ≈80ns
Tension gate‑émetteur maximale (VGE) : 20V
Température de jonction (TJ) : –40°C à +150°C
