MODULE IGBT « BSM75GD120DN2 » 1200V/75A

د.ت 565,000

Modules IGBT 1200 V 75 A triphasés

Description

Fabricant : Infineon
Catégorie de produits : Modules IGBT
Configuration : Pont complet
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,5 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 103 A
Courant de fuite grille-émetteur : 320 nA
Dissipation de puissance Pd : 520 W
Conditionnement : EconoPACK 3A
Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Hauteur : 17 mm
Longueur : 122 mm
Largeur : 62 mm
Tension maximale grille-émetteur : 20 V