Description
BSM50GX120DN2 est un module IGBT en configuration demi-pont (half‑bridge), combinant deux transistors isolés (IGBT) et leurs diodes de roue libre respectives
- Tension collecteur-émetteur : 1200 V
- Courant collecteur continu : 50 A
- Courant de pointe (pulse) : ~200 A
- Chute de tension VCE(sat) typique : environ 2,1 V – 2,2 V
- Courant de puissance dissipée (Pd) : 360 W
- Topologie : moitié de pont (dual IGBT + diodes de roue libre)
- Package : EconoDUAL™ 2K (ou EconoDUAL™) avec broches press-fit
- Isolation : 2500 V AC, 1 minute
- Sonde de température intégrée (NTC) pour mesure du point chaud
- Température jonction : –40 °C à +150 °C
- Tension gate-émetteur max. : ±20 V
- Fuite gate-émetteur : environ 300 nA
- Dimension / poids : environ 107 × 45 × 17 mm, ~250 g
