Description
BSM35GD120DN2 est un module de puissance basé sur la technologie IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) avec des diodes de roue libre intégrées
- Technologie IGBT : NPT standard
- Tension VCE (max) : 1 200 V
- Courant continu IC (max) : 50 A
- Puissance dissipable : jusqu’à 280 W
- VCE(on) (max) : environ 3,2 V à VG = 15 V et IC = 35 A
- Gate threshold voltage (VGE(th)) : ≈ 5,5 V
- Leakage current ICES : ≤ 1 mA à 25 °C, jusqu’à ≈ 2,4 mA à 125 °C
- Température maximale de jonction (Tj) : jusqu’à 150 °C
- Température de stockage : −40 °C à +125 °C
- Format : ECONOPACK 2 à 17 broches, montage sur châssis
- Dimensions : environ 107,5 × 32 × 13,5 mm
