Description
Fabricant : Infineon
Catégorie de produits : Modules IGBT
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,5 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 430 A
Courant de fuite grille-émetteur : 320 nA
Dissipation de puissance Pd : 2,5 kW
Dimensions du boîtier : 62 mm
Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Tension grille-émetteur maximale : 20 V
Type de montage : Montage à vis
