Description
BSM150GB120DN2 est un module IGBT demi‑pont (Half‑Bridge 2) sur châssis isolé, conçu pour des applications industrielles exigeantes avec intégration de diodes de roue libre rapides
- Tension collecteur–émetteur : 1200 V
- Courant collecteur continu : 210 A à Tₚ = 25 °C, 150 A à 80 °C
- Courant d’impulsion (1 ms) : 420 A à 25 °C, 300 A à 80 °C
- Tension gate‑émetteur max. : ±20 V
- Tension de saturation VCE(sat) : 2,5 V à 150 A, Tₚ = 25 °C
- Courant de fuite ICES : ≈ 2,8 mA à 1200 V, Tₚ = 25 °C
- Courant de fuite gate : ≈ 320 nA
- Temps de montée (tr) : ~100 ns
- Délai d’allumage / extinction : ~200 ns / ~600 ns
- Dissipation maximale Pₓ : 1250 W
- Température jonction max. : +150 °C
- Température stockage : −40 °C à +125 °C
- Résistance thermique (jonction→boîtier) : ≤ 0,10 K/W pour IGBT, ≤ 0,25 K/W pour diode
- Isolation testée à 2500 V AC pendant 1 min
- Dimensions : 106,4 mm × 61,4 mm × 30 mm
- Poids : ≈ 363 g
