Description
Fabricant : Infineon
Catégorie de produits : Modules IGBT
Configuration : Double
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,1 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 300 A
Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA
Dissipation de puissance Pd : 1,25 kW
Dimensions du boîtier : 62 mm
Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
Température maximale de fonctionnement : + 125 °C
Hauteur : 30,5 mm
Longueur : 106,4 mm
Largeur : 61,4 mm
Tension grille-émetteur maximale : 20 V
