Description
Fabricant : STMicroelectronics
Catégorie de produits : Modules IGBT
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,3 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 100 A
Courant de fuite grille-émetteur : 500 nA
Dissipation de puissance Pd : 208 W
Boîtier : ACEPACK-2
Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Tension maximale grille-émetteur : 20 V
Série : A2C50S65M2
