MODULE IGBT « 6MBI35S-120 » 1200V/35A

Description

• Module de puissance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Type : module 6-en-1
• Technologie : IGBT + diodes intégrées
• Tension collecteur-émetteur max (VCES) : 1200 V
• Courant collecteur continu (IC) : 35 A (à 80°C)
• Courant max (25°C) : jusqu’à 50 A
• Courant impulsion : jusqu’à 100 A
• Tension de saturation VCE(sat) ≈ 2.1 – 2.6 V
• Puissance dissipée : ≈ 240 W par IGBT
• Structure : pont triphasé intégré (6 IGBT)
• Fréquence de commutation élevée (faibles pertes de commutation)
• Temps de commutation rapide :
  • ton ≈ 0.35 µs
  • toff ≈ 0.45 µs
• Capacité d’entrée : ≈ 4200 pF
• Température de jonction : -40°C à +150°C
• Température de stockage : -40°C à +125°C
• Isolation électrique : 2500 V AC
• Résistance thermique faible (bonne dissipation)
• Boîtier : module compact pour montage sur dissipateur
• Intègre souvent :
  • thermistance NTC (mesure température)
  • diodes de roue libre
• Haute fiabilité et rendement élevé
• Faibles pertes de conduction et de commutation
• Applications :
  • variateurs de vitesse (moteurs AC)
  • onduleurs (inverters)
  • alimentations industrielles
  • UPS
  • machines industrielles