Description
- Configuration : 6 packs d’IGBT avec diodes de roue libre
- Tension collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V
- Courant de collecteur (IC) : 150 A
- Température de jonction maximale (Tj) : jusqu’à 175 °C
- Température du boîtier (Tc) : jusqu’à 125 °C
- Température de stockage (Tstg) : −40 à +125 °C
- Dimensions : largeur 62 mm, longueur 122 mm
- Poids : 300 g
- Package : M648, avec format compact pour montage PCB
- Dissipation de puissance (Pc) : 770 W (max)
- Tension VGE (max) : ±20 V
- Tension de saturation VCE(sat) : environ 2,5 V à 25 °C
- Temps de montée (tr) : 90 ns
- ICES (courant de fuite collecteur-emetteur) max : 1,0 mA
- IGES (courant de fuite gate-emetteur) max : 200 nA
- VGE(th) : entre 6,0 V et 7,0 V
- Rg (résistance interne de grille) : 1,1 Ω
- Capacité d’entrée (Cies) : 3300 nF
- Temps de commutation :
- Turn-on (ton) : 0,37 µs
- Turn-off (toff) : 0,67 µs
- Diode intégrée :
- Tension directe (VF) : 2,4 V
- Temps de récupération (trr) : 0,15 µs
