MODULE IGBT « 6MBI150VX-120-50 » 1200V/150A

Description

• Configuration : 6 packs d’IGBT avec diodes de roue libre
• Tension collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V
• Courant de collecteur (IC) : 150 A
• Température de jonction maximale (Tj) : jusqu’à 175 °C
• Température du boîtier (Tc) : jusqu’à 125 °C
• Température de stockage (Tstg) : −40 à +125 °C
• Dimensions : largeur 62 mm, longueur 122 mm
• Poids : 300 g
• Package : M648, avec format compact pour montage PCB
• Dissipation de puissance (Pc) : 770 W (max)
• Tension VGE (max) : ±20 V
• Tension de saturation VCE(sat) : environ 2,5 V à 25 °C
• Temps de montée (tr) : 90 ns
• ICES (courant de fuite collecteur-emetteur) max : 1,0 mA
• IGES (courant de fuite gate-emetteur) max : 200 nA
• VGE(th) : entre 6,0 V et 7,0 V
• Rg (résistance interne de grille) : 1,1 Ω
• Capacité d’entrée (Cies) : 3300 nF
• Temps de commutation :

1. Turn-on (ton) : 0,37 µs
2. Turn-off (toff) : 0,67 µs

• Diode intégrée :

1. Tension directe (VF) : 2,4 V
2. Temps de récupération (trr) : 0,15 µs