MODULE IGBT « 2MBI200VB-120-50 » 1200V/200A

Description

• Tension collecteur–émetteur (VCES) : 1200 V
• Tension grille–émetteur (VGES) : ±20 V (max)
• Courant collecteur continu (IC à TC=100 °C) : 200 A
• Courant de crête (1 ms pulse) : ±400 A
• Courant d’émetteur inverse (–IC) : 200 A continu, 400 A pulse
• VCE(sat) typique à 200 A, Tj=25 °C : 1,95 V (max 2,40 V) ; à 125 °C : env. 2,05 V ; à 150 °C : env. 2,30 V
• Temps de commutation (VCC=600 V, IC=200 A, VGE=±15 V, RG=2,7 Ω, Tj=150 °C) : ton ≈ 600 ns, tr ≈ 200 ns, toff ≈ 800 ns, tf ≈ 80 ns
• Diode anti‑parallèle (inférieure) : VF typ. ≈ 1,85 V (25 °C), 1,70 V (chip) trr ≈ 150 ns
• Puissance dissipable (PC à TC=25 °C) : 1500 W par dispositif
• Température jonction maximale (Tj) : 175 °C (150 °C en fonctionnement continu sous commutation)
• Température boîtier (TC) : max. 125 °C ; stockage -40 à +125 °C
• Isolation : 2500 VAC entre bornes et base cuivre (1 min)