Circuit intégré « IXDD609SIA » Pilote MOSFET ultrarapide côté bas 9A SOIC‑8

Description

• Fabricant : IXYS (Littelfuse)
• Référence : IXDD609SIA
• Type : Gate driver “low-side” pour MOSFET / IGBT
• Nombre de canaux : 1 canal
• Courant de sortie (pic) : 9 A en source / 9 A en sink
• Tension d’alimentation (Vcc) : 4,5 V à 35 V
• Logique d’entrée : Non-inverting (entrée non inversée)
• Niveau logique d’entrée : VIL ≈ 0,8 V  / VIH ≈ 3,0 V
• Temps de montée / descente (avec charge) : 22 ns (montée), 15 ns (descente)
• Protection / particularité :

1. Circuit pour éviter la conduction croisée (anti shoot-through)
2. Entrée logique tolérante aux swings négatifs (logique d’entrée robuste)

• Capacité de charge : conçu pour piloter des grilles de MOSFET / IGBT puissants (car courant élevé)
• Mode « Disable » : oui — il y a une broche Enable (EN)
• Impédance de sortie : faible (driver totem-pole, sortie “low output impedance”)
• Courant de repos / consommation : typiquement 10 µA de courant d’alimentation
• Plage de température de fonctionnement : –40 °C à +125 °C
• Boîtier / package : SOIC-8