Circuit intégré « IXDD604SIA » Double pilote MOSFET ultrarapide côté bas 4A SOIC‑8

Description

Fabricant : IXYS
Référence : IXDD604SIA
Type : Driver de grille (“gate driver”) low-side
Nombre de canaux : 2 canaux indépendants
Courant de sortie (pic) : ± 4 A (4 A source / 4 A sink)
Tension d’alimentation (Vcc) : 4,5 V à 35 V
Logique d’entrée : non-inverting (entrée non inversée)
Niveau logique d’entrée : VIH ≈ 3,0 V / VIL ≈ 0,8 V
Temps de montée / descente (avec charge) : typique ~ 9 ns montée, ~ 8 ns descente
Protection / particularité :

Circuit anti “shoot-through” (évite la conduction croisée)
Broches Enable (“EN”) sur chaque canal pour désactiver la sortie (mettre en haute impédance)

Capacité de charge : conçu pour piloter des MOSFET / IGBT, même avec des charges de grille considérables (fort courant de crête)
Mode « Disable » : oui, via les broches EN, la sortie peut être désactivée en haute impédance
Impédance de sortie : faible, driver à sortie totem-pole (faible sortie)
Courant de repos / consommation : très faible ~ 10 µA de courant d’alimentation (IC)
Plage de température de fonctionnement : –40 °C à +125 °C
Boîtier / package : SOIC-8