Circuit intégré « IXDD409SI » Pilote MOSFET ultrarapide côté bas SOIC‑8

Circuit intégré « IXDD409SI » Pilote MOSFET ultrarapide côté bas 9A SOIC‑8

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Description

  • Fabricant : IXYS
  • Référence : IXDD409SI
  • Type : Driver low‑side (pilote le transistor du côté bas)
  • Canaux : 1 (single)
  • Tension d’alimentation (Vcc) : 4,5 V à 35 V
  • Courant de sortie (crête) : ±9 A (9 A en source, 9 A en sink)
  • Logique d’entrée : non-inverting (entrée non inversante)
  • Niveaux logiques d’entrée : VIL (logique bas) ≈ 0,8 V  / VIH (logique haut) ≈ 3,5 V
  • Temps de montée / descente : 10 ns / 10 ns
  • Protection : Latch-up protégé
  • Capacité de charge : peut driver des charges capacitives élevées
  • Désactivation (Enable) : possibilité de désactiver la sortie en cas de défaut (“Ability to Disable Output under Faults”)
  • Impédance de sortie : faible (permet un bon pilotage)
  • Plage de température : de –55 °C à +150 °C
  • Boîtier / package : 8‑SOIC

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