Description
- Fabricant : IXYS
- Référence : IX4427N
- Type : Gate-driver MOSFET / IGBT — driver « low-side », dual channel (2 sorties indépendantes)
- Nombre de canaux : 2 canaux indépendants
- Courant de sortie (pic) : 1.5 A en source / 1.5 A en sink (peak output current)
- Tension d’alimentation (Vcc) : 4,5 V à 35 V
- Logique d’entrée : Non-inverting, compatible TTL / CMOS
- Niveau logique d’entrée (VIL / VIH) : VIL ≈ 0.8 V, VIH ≈ 2.4 V
- Temps de montée / descente (avec charge) :~ 10 ns (rise), ~ 8 ns (fall)
- Protection / particularités :
- Entrées TTL/CMOS compatibles, immunité au latch-up jusqu’à 1.5 A.
- Sortie à faible impédance, driver rapide — approprié pour MOSFET/IGBT.
- Capacité de charge : Conçu pour piloter des MOSFETs / IGBTs, avec gate capacitive — grâce au courant de crête = 1.5 A, capable de charger/décharger la grille rapidement.
- Impédance de sortie : Faible (driver totem-pole), ce qui permet un bon drive de la gate
- Courant de repos / consommation : Faible “low power consumption”
- Plage de température de fonctionnement : –40 °C +125 °C
- Boîtier / package : SOIC-8
