Circuit intégré « IX4427N » Double pilote MOSFET ultrarapide côté bas 1.5A SOIC‑8

Description

• Fabricant : IXYS
• Référence : IX4427N
• Type : Gate-driver MOSFET / IGBT — driver « low-side », dual channel (2 sorties indépendantes)
• Nombre de canaux : 2 canaux indépendants
• Courant de sortie (pic) : 1.5 A en source / 1.5 A en sink (peak output current)
• Tension d’alimentation (Vcc) : 4,5 V à 35 V
• Logique d’entrée : Non-inverting, compatible TTL / CMOS
• Niveau logique d’entrée (VIL / VIH) : VIL ≈ 0.8 V, VIH ≈ 2.4 V
• Temps de montée / descente (avec charge) :~ 10 ns (rise), ~ 8 ns (fall)
• Protection / particularités :

1. Entrées TTL/CMOS compatibles, immunité au latch-up jusqu’à 1.5 A.
2. Sortie à faible impédance, driver rapide — approprié pour MOSFET/IGBT.

• Capacité de charge : Conçu pour piloter des MOSFETs / IGBTs, avec gate capacitive — grâce au courant de crête = 1.5 A, capable de charger/décharger la grille rapidement.
• Impédance de sortie : Faible (driver totem-pole), ce qui permet un bon drive de la gate
• Courant de repos / consommation : Faible  “low power consumption”
• Plage de température de fonctionnement : –40 °C  +125 °C
• Boîtier / package : SOIC-8