Description
- Type de composant : Driver de grille triphasé (3 demi‑ponts) pour MOSFET/IGBT, 6 sorties internes (3 high‑side + 3 low‑side).
- Tension maximale côté haute tension (VBus) : jusqu’à 600 V.
- Tension d’alimentation côté sortie (VCC / VBS) : 10 V à 20 V.
- Entrées logiques : compatibles CMOS/LSTTL, acceptent des signaux logiques dès 3.3 V.
- Protection UVLO (Under‑Voltage Lockout) : empêche l’activation du driver si la tension d’alimentation est insuffisante.
- Protection over‑current : coupure des sorties en cas de sur‑courant via une résistance de détection externe.
- Prévention de cross‑conduction : évite que les transistors high‑side et low‑side d’un même demi‑pont soient activés simultanément.
- Sorties rail‑to‑rail : pilote les MOSFET/IGBT haute et basse côté puissance correctement.
- Bootstrap intégré : permet de piloter les MOSFET/IGBT côté high‑side sans alimentation isolée supplémentaire.
- Temps de commutation typiques : rise/fall time ~125 ns / 50 ns selon conditions, propagation rapide pour applications puissance.
- Immunité aux transitoires : robuste face aux variations rapides de tension (dV/dt élevé).
- Signaux de défaut : sortie open‑drain “FAULT” pour indiquer sous‑tension, sur‑courant ou autre problème.
- Applications typiques : variateurs de moteurs AC/DC, onduleurs triphasés, alimentations à découpage, ponts H industriels.
- Boîtier : SOIC‑28
