Description
- Tension de blocage IGBT (V_CES) : 600 V
- Courant de sortie : ±10 A typique (6 A continu TJ=100 °C)
- Tension d’alimentation logique VDD/VBS : 14–18,5 V
- Fréquence PWM max recommandée : ≈ 20 kHz
- R_th(j‑c) : ~4,8 K/W
- Perte thermique max : 26,1 W
- Température de fonctionnement : –40 °C à +100 °C case, jusqu’à +150 °C junction
- Isolation : testée jusqu’à 2000 VAC
- Poids : environ 6,15 g
- VCE(sat) : 1,6 V typ, jusqu’à 2 V
- td(on) ≈ 670 ns, tr ≈ 20 ns, tc(on) ≈ 80 ns
- td(off) ≈ 820 ns, tf ≈ 170 ns, tc(off) ≈ 180 ns
- Énergie de commutation : Eon ≈ 110 µJ, Eoff ≈ 155 µJ
- Temps de réponse ITRIP (tShutdown ≈ 1000 ns), clearance typ ~65 µs
- Boîtier PB-MDIP24, compatibles TTL/CMOS (3,3–5 V)
- Broches disponibles : HINx, LINx, VBx, VSx, ITRIP, VFO, VDD/VSS, thermistor NTC, P, U/V/W, NW/NV/NU
- Supporte signaux négatifs VS jusqu’à –11 V
