Description
– Type : IGBT N-Channel à structure trench + diode de récupération rapide intégrée
– Tension collecteur-émetteur (VCES) : 600 V
– Tension grille-émetteur (VGES) : ±30 V
– Courant continu (IC) : 50 A 25 °C
– Courant impulsionnel (IC pulse) : 100 A (≤1 ms)
– Puissance dissipable (PC) : 150 W Tc=25 °C
– Tension de saturation (VCE(sat)) : typ. 1,8 V, max 2,4 V ( IC=50 A, VGE=15 V)
– Temps de montée/descente (tr/tf) : tr ≈ 100 ns, tf ≈ 120 ns typ.
– Diode intégrée : VF ≈ 1,2 V, trr ≈ 300 ns typ.
– Température de jonction (Tj) : –55 °C à +150 °C
– Résistances thermiques :
- IGBT θjc ≈ 0,833 °C/W
- Diode θjc ≈ 1,67 °C/W
