Description
Le G40N60 est un IGBT 600 V / 40 A ultra‑rapide, avec une chute de tension basse (≈2‑2.6 V), une récupération de diode rapide (~42 ns) et des pertes de commutation faibles (~360 µJ). Le boîtier TO‑3P permet un bon refroidissement
– VCES : 600 V
– VGES : ± 20 V
– IC continu : 40 A à 25 °C ; 20 A à 100 °C
– IC pulsé : jusqu’à 160 A
– IF (diode) : 15 A à 100 °C; pic jusqu’à 160 A
– Pdiss : 160 W à 25 °C ; 64 W à 100 °C
– Tj : –55 °C à +150 °C
