Description
Type: IGBT N‑channel à grille isolée avec diode anti‑parallèle
Tension collecteur‑émetteur (VCES): 600 V
Courant collecteur continu (Ic): 40 A (80 A pulsé à 25 °C)
VCE(sat): ~1.8 V à 40 A, Vge = 15 V, TC=25 °C
Dissipation de puissance (Pc): 280 W (TC=25 °C)
Tension gate‑émetteur (Vge): ±20 V max
Technologie: Trench avec « Field Stop » (FS) pour faibles pertes
Temps de commutation: tr ~50 ns
Température de jonction (Tj): –55 °C à +150 °C
Boîtier: TO‑3P (ou TO‑3PN)
