Description
Type
- IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Composant de puissance
- Montage SMD, boîtier DPAK / TO-252-3
Caractéristiques électriques principales
- Tension collecteur-émetteur (Vce max) : 600 V
- Courant collecteur continu (Ic) : jusqu’à 14 A selon conditions
- Dissipation maximale (Pd) : ~ 38 W
- Vce(sat) faible : typiquement ~ 1,0 V (à quelques ampères, température élevée)
- Conçu pour commutation à vitesse modérée (IGBT “standard speed”)
Thermique / Fiabilité
- Conçu pour forte tenue thermique grâce au boîtier DPAK
- Optimisé pour pertes faibles en conduction et en commutation
Applications
- Onduleurs, variateurs, alimentation à découpage
- Commande moteurs
- Circuits haute tension jusqu’à 600 V
