Description
- Référence : IHW40N60RF
- Marquage : H40RF60
- Type : IGBT N‑channel à diode intégrée (reverse conducting) pour commutation résonante et applications à commutation douce
- Technologie : Infineon TrenchStop™, assurant robustesse thermique, faible VCE(sat) et bonne uniformité de paramètres
- Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 600 V
- Courant collecteur continu (IC) : jusqu’à 80 A à 25 °C (40 A à température + 75 °C)
- Courant de crête possible : jusqu’à 120 A en impulsion
- Dissipation maximale (Ptot) : 305 W
- Tension de saturation VCE(sat) : 1.65 V à 25 °C
- Tension seuil de grille VGE(th) : 4.1 – 5.7 V
- Température maximale de jonction (Tj max) : +175 °C
- Condition de stockage : –55 °C à +175 °C
- Boîtier : TO‑247‑3
