Description
- Référence : IHW30N160R2
- Marquage : H30R1602
- Type : IGBT à conduction inverse (RC‑IGBT) avec diode monolithique intégrée
- Technologie : TrenchStop pour commutation douce, stabilité thermique et faibles pertes de saturation
- Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 1600 V maximum
- Courant collecteur continu (IC) : 60 A à 25 °C (30 A à 100 °C)
- Courant d’impulsion (IC) : jusqu’à 90 A
- Puissance dissipable (Ptot) : 312 W à 25 °C
- VCE(sat) : 1,8 V
- Tension de grille (VGE) : ±20 V
- Température de jonction (Tj max) : +175 °C
- Plage de stockage : –55 °C à +175 °C
- Boîtier : TO‑247‑3
