Description
- Référence : IHW30N120R2
- Marquage : H30R1202
- Type : IGBT à conduction inverse (reverse‑conducting) avec diode monolithique intégrée
- Technologie : TrenchStop et FieldStop, associées à la technologie NPT, garantissent une excellente capacité de mise en parallèle, stabilité thermique, et faibles pertes de commutation
- Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 1200 V
- Courant collecteur continu (IC) : 30 A à 100 °C (60 A maximal à 25 °C)
- Courant d’impulsion (IC) : jusqu’à 90 A
- Tension de saturation (VCE(sat)) : 1,8V
- Puissance dissipable (Ptot) : 390 W
- Tension grille‑émetteur max (VGE) : ±20 V
- Température jonction max (Tj max) : +175 °C
- Boîtier : TO‑247‑3
