IGBT « H30R1202 » (1200V-30A) TO247-3

Description

• Référence : IHW30N120R2
• Marquage : H30R1202
• Type : IGBT à conduction inverse (reverse‑conducting) avec diode monolithique intégrée
• Technologie : TrenchStop et FieldStop, associées à la technologie NPT, garantissent une excellente capacité de mise en parallèle, stabilité thermique, et faibles pertes de commutation
• Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 1200 V
• Courant collecteur continu (IC) : 30 A à 100 °C  (60 A maximal à 25 °C)
• Courant d’impulsion (IC) : jusqu’à 90 A
• Tension de saturation (VCE(sat)) :  1,8V
• Puissance dissipable (Ptot) : 390 W
• Tension grille‑émetteur max (VGE) : ±20 V
• Température jonction max (Tj max) : +175 °C
• Boîtier : TO‑247‑3