Description
- Référence : IHW25N120R2
- Marquage : H25R1202
- Type : IGBT N‑channel à conduction inverse avec diode monolithique intégrée
- Technologie : TrenchStop™ RC‑IGBT3 et FieldStop, boîtier TO‑247‑3. Optimisé pour faibles pertes conduction et commutation douce
- Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 1200 V
- Courant collecteur continu (IC) :50 A à 25 °C (25 A à +100 °C)
- Courant impulsionnel max (pulse) : 75 A
- Tension de saturation (VCE(sat)) : 1,6V
- Puissance dissipable (Ptot) : 365 W
- Tension grille‑émetteur max (VGE) : ±20 V
- Température jonction max (Tj max) : +175 °C
- Seuil de grille VGE(th) : 5,8 V
- Boîtier : TO‑247‑3
