IGBT « H25R1202 » (1200V-25A) TO247-3

Description

• Référence : IHW25N120R2
• Marquage : H25R1202
• Type : IGBT N‑channel à conduction inverse avec diode monolithique intégrée
• Technologie : TrenchStop™ RC‑IGBT3 et FieldStop, boîtier TO‑247‑3. Optimisé pour faibles pertes conduction et commutation douce
• Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 1200 V
• Courant collecteur continu (IC) :50 A à  25 °C (25 A à +100 °C)
• Courant impulsionnel max (pulse) : 75 A
• Tension de saturation (VCE(sat)) :  1,6V
• Puissance dissipable (Ptot) : 365 W
• Tension grille‑émetteur max (VGE) : ±20 V
• Température jonction max (Tj max) : +175 °C
• Seuil de grille VGE(th) : 5,8 V
• Boîtier : TO‑247‑3