IGBT « H20R1203 » (1200V-20A) TO247-3

Description

• Référence : IHW20N120R3
• Marquage : H20R1203
• Type : IGBT à conduction inverse (reverse‑conducting) avec diode monolithique intégrée
• Technologie : TrenchStop™ pour des pertes de conduction faibles et une commutation douce
• Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 1200 V
• Courant collecteur continu (IC) : 20 A ; jusqu’à 40 A en pic court
• Tension de saturation (VCE(sat)) :  1,48 V
• Puissance dissipable (Ptot) : 310 W
• Tension grille‑émetteur max (VGE) : ±20 V
• Température jonction max (Tj max) : +175 °C
• Plage de stockage (Tstg) : –55 °C à +175 °C
• Boîtier : TO‑247‑3