Description
Fabricant : onsemi
Catégorie de produit : IGBT
Boîtier : TO-3PN
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,9 V
Tension grille-émetteur maximale : -20 V, 20 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 120 A
Dissipation de puissance Pd : 600 W
Température minimale de fonctionnement : -55 °C
Température maximale de fonctionnement : +175 °C
Série : FGA60N65SMD
Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA
