IGBT de puissance IXDN 75N120 (1200V/150A)

IGBT haute tension IXDN 75N120 (1200V/150A)

Description

Fabricant : IXYS
Catégorie de produit : IGBT
Boîtier : SOT-227B-4
Type de montage : Montage à vis
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,2 V
Tension grille-émetteur maximale : -20 V, 20 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 150 A
Dissipation de puissance Pd : 660 W
Température minimale de fonctionnement : -40 °C
Température maximale de fonctionnement : +150 °C
Série : IXDN75N120
Hauteur : 9,6 mm
Longueur : 38,2 mm
Poids unitaire : 30 g