Description
Caractéristiques principales :
- MOSFET canal N
- VDS : 150 V
- ID : 43 A (à 25 °C)
- RDS(on) : ~42 mΩ
- VGS max : ±20 V
- VGS(th) : ~4 V max
- Qg (charge gate) : ~200 nC
- Ciss : ~2400 pF
- Puissance dissipée : jusqu’à 200 W (Tc)
- Température jonction : −55 à +175 °C
- Technologie HEXFET® (Infineon / IR)
- Rapide, adapté switching haute puissance
- Boîtier : D2PAK / TO-263 (SMD)
Applications :
- Alimentations à découpage
- Convertisseurs DC-DC
- Commande moteurs / pont H
- Gestion de puissance haute intensité
