Circuit intégré « HAT1038R-EL » Power MOSFET P-channel SOP-8

Description

• Polarité : P-channel MOSFET
• Boîtier : SOP-8  montage CMS
• Tension drain-source max VDSS = –60 V
• Tension grille-source max VGSS = ±20 V
• Courant drain continu maximal ID = –3.5 A (polarité négative, P-channel)
• Courant drain en crête (pulsé) : –28 A (durée très courte, duty-cycle faible)
• Résistance à l’état passant RDS(on) ≈ 0.12 Ω
• RDS(on) ≈ 0.16-0.23 Ω
• Capacité d’entrée (Ciss) : 600 pF
• Température de jonction / de fonctionnement Tj, Tstg = –55 °C à +150 °C
• Diode de body intégrée (diode drain–source, utile pour certaines commutations) avec caractéristique diode interne.
• Commutation relativement rapide : temps de montée (tr) ~ 30 ns, temps de descente (tf) ~ 55 ns