IGBT N-Channel « G80N60 » 600V/40A TO-3P

د.ت 19,000

IGBT – Arrêt de champ 600 V, 80 A

Description

  • Tension collecteur‑émetteur (VCES) : 600 V
  • Courant continu IC : 80 A à TC=25 °C (40 A à 100 °C)
  • Courant impulsionnel ICM : 220 A (pulses courtes)
  • Tension grille-émetteur max VGES : ± 20 V
  • Tension de seuil VGE(th) : 3,5–6,5 V
  • VCE(sat) : ≈ 2,1 V typique à 40 A, montée ≈ 2,6 V à 80 A
  • Montée/descente rapide : temps de montée/tr : ~50 ns
  • Diode anti-parallèle intégrée avec récupération rapide (trr ≈ 50 ns)
  • Conduction et commutation optimisées : pertes faibles, adaptée aux contrôles moteurs, onduleurs et robots
  • Dissipation maximale : 195 W à TC=25 °C
  • Température jonction : –55 °C à +150 °C
  • Format :  TO‑3P
  • Applications typiques : variateurs, onduleurs, motor drives, alimentations découplées, systèmes de soudage/inversion, etc