Description
- Tension collecteur-émetteur (VCES) : 600 V, adapté aux alimentations à découpage élevées et convertisseurs de puissance
- Courant continu IC : 34 A à 25 °C, 14 A à 110 °C
- Courant de pointe ICM : 56 A (impulsions courtes)
- Tension grille-émetteur (VGE) : ±20 V (max), supporte des pulses jusqu’à ±30 V
- Dissipation thermique maximale (PC) : 125 W (à TC=25 °C)
- Résistance VCE(sat) : environ 1,9 V typique à 25 °C (faibles pertes en conduction)
- Temps de descente (fall time) : typiquement 75 ns à 125 °C
- Fréquences élevées : conçu pour >100 kHz à 390 V/7 A, et même 200 kHz à 5 A
- Zone d’utilisation sûre (SOA) : on peut commuter jusqu’à 600 V sans dommages
- diode hyperfast anti-parallèle intégrée (type TA49370), optimisée pour la commutation, limitant les effets d’overshoot
- Température Jonction : –55 °C à +150 °C
- Température Boîtier : –55 °C à +150 °C
