Description
- Tension collecteur‑émetteur (BVCES) : 600 V
- Courant continu (IC) : 60 A à 110 °C ; jusqu’à 75 A à 25 °C
- Courant d’impulsion (ICM) : 240 A pic
- Tension grille‑émetteur (VGES) : ±20 V continu, ±30 V impulsionnel
- VCE(sat) : ~1,8 V typique à 30 A, peut atteindre 2,6 V
- Temps de commutation : td(on) ~25 ns, tr ~12 ns, td(off) ~150 ns, tf ~38 ns à 25 °C
- Pertes de commutation : Eon ~280 µJ, Eoff ~350 µJ (typique)
- Protection & SOA : supporte jusqu’à 150 A en mode SOA à 600 V en construction TO‑247
- Dissipation maximale (TC = 25 °C) : 463 W
- Résistance thermique junction‑case : ~0,27 °C/W
- Température de jonction : –55 °C à +150 °C
- Diode anti‑parallèle hyper‑rapide (hyperfast) intégrée, minimisant les overshoots lors de la commutation
