Description
NDS9955 est un MOSFET canal N double encapsulé en SOIC-8, conçu pour des applications basse tension avec de forts courants
- Type : MOSFET canal N double (2 canaux N-channel enhancement)
- Technologie : DMOS à haute densité de cellule pour performance de commutation optimisée et faible résistance à l’état passant
- Vds (tension drain-source) : 50 V
- Courant de drain continu (Id) : 3 A par canal
- Rds(on) : 0,13 Ω à Vgs = 10 V / 0,20 Ω à Vgs = 4,5 V
- Tension de seuil Vgs(th) :de 1 – 1,7 V (max 3 V)
- Dissipation de puissance : 2 W (fonctionnement double canal)
- Température de jonction / stockage : –55 °C à +150 °C
- Temps de commutation (avec Vgs = 10 V) :
- Retard à l’activation (td(on)) : 5 – 20 ns
- Montée (tr) : 7,5 – 20 ns
- Retard à l’extinction (td(off)) : 20 ns
- Résistances thermiques :
- RθJA (jonction → ambiante) 78 °C/W
- RθJC (jonction → boîtier) 40 °C/W
- Boîtier : SOIC-8
