Circuit « TC55257BPL‑10L » SRAM CMOS statique DIP-28

Description

  • Capacité : 256 kbits (32K×8)
  • Accès : 10ns (max 100ns)
  • Courant actif : ≈5mA/MHz
  • Courant veille : ≈100µA (typ.), ≈2µA ret
  • Alimentation : 5 V (4,5-5,5 V)
  • Température : –20 à +70°C
  • Boîtier : DIP‑28
  • Maintien des données: Jusqu’à 10 ans sans alim