Description
- Type de composant : Mémoire NVSRAM (Static RAM non-volatile)
- Capacité mémoire : 256 Kbit (organisée en 32 K × 8)
- Interface : Parallèle (pour accès direct aux données)
- Temps d’accès : 100 ns (rapidité de lecture/écriture)
- Cycle d’écriture : 100 ns
- Tension d’alimentation : 4.5 V à 5.5 V
- Consommation : courant de fonctionnement typique 50 mA
- Mémoire non volatile : données conservées même après coupure d’alimentation (via batterie interne)
- Boîtier : DIP-28
- Métrique boîtier : 37.7 mm × 18.4 mm × 9.4 mm
- Retenue des données (data retention) : les données restent stockées pendant des années sans alimentation grâce à la pile interne.
- Accès similaire à une SRAM classique : vitesse et cycles d’écriture illimités, mais avec fonctionnalité non volatile.
- Protection automatique des données lors des cycles de mise sous tension / coupure.
- Compatible interface standard pour intégration facile dans la plupart des cartes électroniques.
- Température de fonctionnement : 0 °C à +70 °C
