Description
- Tension Drain‑Source (VDSS) : 200 V
- Courant nominal continu (ID) : 22 A à TC=33 °C
- Courant de crête (ID,pulse) : 88 A à TC=25 °C
- Tension de commande VGS : ±20 V max
- Tension de seuil VGS(th) : typiquement 3 V
- Résistance en conduction RDS(on) : 0,09 Ω typique à 10 V, max 0,12 Ω
- Dissipation maximale : 125 W (à TC=25 °C)
- Résistance thermique jonction‑boîtier (Rth JC) : ≤ 1 K/W
- Pertes d’avalanche énergétique : 450 mJ par impulsion (ID=22 A, VDD=50 V, L=1,39 mH)
- Temps de commutation typiques (bus VDD=30 V, ID=3 A, VGS=10 V, RG=50 Ω) :
- td(on) ≈ 30–45 ns, tr ≈ 70–110 ns
- td(off) ≈ 250–320 ns, tf ≈ 90–120 ns
- Tension directe typique : 1,2 V à 44 A
- Temps de récupération : trr ≈ 180 ns, charge Qrr ≈ 1,2 µC
- Température de jonction : –55 °C à +150 °C
- Température de stockage : –55 °C à +150 °C
- Boîtier : TO‑218 AA
