Circuit intégré « at28c64b-15su » EEPROM SOIC-28

Description

• Type de mémoire : EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory).
• Capacité mémoire : 64 Kbit, organisé en 8 192 octets × 8 bits
• Organisation mémoire : 8 K × 8 bits.
• Interface : parallèle (bus d’adresses + bus de données + signaux de contrôle : CE, OE, WE).
• Boîtier / Package : SOIC-28 (28 broches, montage CMS / SMD)
• Tension d’alimentation : 5 V, tolérance ±10 % (soit validement 4.5 V à 5.5 V)
• Temps d’accès en lecture : 150 ns (accès rapide)
• Cycle d’écriture (page write) : possibilité d’écrire de 1 à 64 octets en une opération.
• Consommation : courant actif max ~ 40 mA, courant veille (standby) CMOS < 100 µA.
• Endurance / Durabilité

1. Nombre de cycles d’écriture/effacement : typiquement 100 000 cycles.
2. Rétention des données : au moins 10 ans.

• Températures de fonctionnement : –40 °C à +85 °C
• Compatibilité logique : entrées/sorties compatibles CMOS et TTL.
• Protection : protection hardware & software contre les écritures involontaires ; mécanisme “Data Polling / Toggle Bit” pour détecter la fin d’un cycle d’écriture