Description
L’IGBT POWER MOS 7® est une nouvelle génération d’IGBT de puissance haute tension.
Utilisant la technologie Punch Through, cet IGBT est idéal pour de nombreuses applications de commutation haute fréquence et haute tension et a été optimisé pour les alimentations à découpage haute fréquence.
• Faibles pertes de conduction
• Fonctionnement à 50 kHz à 800 V, 20 A
• Faible charge de grille
• Fonctionnement à 20 kHz à 800 V, 44 A
• Coupure ultra-rapide du courant de queue
Fabricant : MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de module : IGBT
Tension max. à l’état bloqué : 1,2 kV
Courant de collecteur : 57 A
Boîtier : SOT227B
Montage électrique : vis
Tension grille-émetteur : ± 20 V
Courant de collecteur pulsé : 300 A
