Description
Tension collecteur-émetteur : VCE = 650 V
Courant collecteur continu – à TC = 25 °C – IC = 100 A
– à TC = 100 °C – IC = 60 A
Tension grille-émetteur continue : VGE = ± 20 V
Dissipation de puissance totale à TC = 25 °C PD = 535 W
IGBT N-Channel 60T65PES (650V-60A)
د.ت 12,500
Transistor haute vitesse IGBT 60 A 650 V
