Description
- Tension collecteur–émetteur (VCES) : 650 V
- Courant nominal (IC) : 60 A continu à TC=25 °C
- Courant impulsionnel (ICM) : 180 A en impulsions courtes
- Tension VGE max : ±20 V
- RCE(sat) typique : 1,85 V à 60 A
- Énergie d’enclenchement (Eon) : ~0,92 mJ à 25 °C
- Énergie de coupure (Eoff) : ~0,53 mJ à 25 °C
- Temps de réponse : td(on) ≈ 42 ns, tr = 54 ns, td(off) ≈ 142 ns, tf = 40 ns
- Temps de récupération de la diode (trr) : ≈ 110 ns, Qrr ≈ 1,1 µC à 25 °C
- Dissipation : 535 W à TC=25 °C, 267 W à 100 °C
- Température jonction (Tj) : −40 °C à +175 °C
- Résistance thermique J‑C : ~0,28 °C/W
- Boîtier : TO‑247, montage via vis M3
- Robustesse : capable de supporter des courts‑circuits <5 µs à 400 V , VGE=15 V, Tj=150 °C
